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| 高能电子辐照与开关晶体管 | |
| 引用本文： | 张秀淼,贺国根,鲁虔.高能电子辐照与开关晶体管[J].科技通报,1986(2). |
| 作者姓名： | 张秀淼 贺国根 鲁虔 |
| 作者单位： | 杭州大学，杭州大学，杭州半导体厂 |
| 摘 要： | 晶体管的开关特性,与半导体中少子寿命有关,提高晶体管开关速度的传统工艺方法是借助于高温扩散在芯片中引入诸如金、铂等深能级杂质作为复合中心。但是在三重扩散台面工艺的高反压大功率晶体管中,要求把少子寿命控制在微秒数量级,这在工艺上是很难准确控制的。用高能电子辐照控制硅中少子寿命是一种很有前途的先进方法。最近我们采用电子辐照提高反压功率开关晶体管开关速度工艺技术,从选择合适的硅单晶着手,采用三重扩散台面工艺、电子辐照和后处理工艺相结合。解决了工艺的相容性,参 |
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