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| 半导体超晶格、微结构的研究 | |
| 引用本文： | 王启明.半导体超晶格、微结构的研究[J].中国科学院院刊,1987(2):109-113. |
| 作者姓名： | 王启明 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 所长 |
| 摘 要： | 60年代后期,美国Bell实验室和IBM公司的华裔学者卓以和、张立纲首先提出,利用在超高真空中(10~(-9) ~10~(-11)托)分子运动的喷射效应(自由程可达100厘米以上)来进行分子尺度超薄层材料外延生长,即今天人们称之为分子束外延或MBE(Molecular Beam Epitaxial)技术。MBE技术的成功,使得在各种基底材料上任意地生长出厚度为原子(或分子)尺度量级的 |
| 关 键 词： | 激子 超晶格微结构 半导体超晶格 量子阶激光器 光双稳 空穴 AIGaAs 光通信 阶壁 光电子器件 |
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