| 2.0GHz差分结构低噪声放大器的研究与设计 |
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| 引用本文： | 徐思成.2.0GHz差分结构低噪声放大器的研究与设计[J].实验室研究与探索,2011,30(8). |
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| 作者姓名： | 徐思成 |
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| 作者单位： | 河南质量工程职业学院机电工程系,河南平顶山,467001 |
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| 摘 要： | 设计了一个基于TSMC0.18 μmCMOS工艺的2.0 GHz全差分CMOS低噪声放大器.根据电路结构特点,对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽；采用在输入级增加电容和选择小值LC并联网作为差分电路的负载的方法,在改善输入匹配网络特性的同时,提高了电路的增益.仿真结果表明该放大器较好地满足了小信号放大器的指标要求,可以用于射频输入电路的前端.
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| 关 键 词： | 差分结构 低噪声放大器 噪声系数 输入匹配 CMOS工艺 |
Research and Design of 2.0 GHz Difference Structure Low Noise Amplifier |
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| XU Si-cheng.Research and Design of 2.0 GHz Difference Structure Low Noise Amplifier[J].Laboratory Research and Exploration,2011,30(8). |
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| Authors: | XU Si-cheng |
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| Institution: | XU Si-cheng (Department of Mechanical and Electrical Engineering,Henan Quality Engineerin g Vocation College,Pingdingshan 467001,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | difference structure low noise amplifier(LNA) noise factor input impedance m atching CMOS technology |
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