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| α-SiN_x/nc-Si/α-SiN_x双势垒结构的电荷存储特性 | |
| 引用本文： | 宋捷,丁宏林.α-SiN_x/nc-Si/α-SiN_x双势垒结构的电荷存储特性[J].韩山师范学院学报,2010,31(3):43-47. |
| 作者姓名： | 宋捷 丁宏林 |
| 作者单位： | 韩山师范学院,物理与电子工程系,广东潮州,521041 |
| 摘 要： | 利用等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术,采用NH_3等离子体预氮化法淀积α-SiN_x介质膜,同时结合layer by layer生长nc-Si的方法一次性原位制备了α-SiN_x/nc-Si/α-SiN_x双势垒结构样品.通过原子力显微镜（AFM）测量,估算了nc-Si的密度为1.2×10~（11）cm~（-2）.通过C-V测量研究镶嵌在SiN_x双势垒层中的nc-Si颗粒的电荷存储现象.C-V曲线出现明显的迥滞现象,迴滞窗口约为1 V,表明结构中电荷存储特性.根据迴滞窗口,计算了结构中存储电荷的密度,发现存储电荷密度与nc-Si层的晶粒密度具有相同的数量级. |
| 关 键 词： | 双势垒结构 电荷存储 nc-Si SiN_x |
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