| MOS场效应晶体管辐照特性的实验研究 |
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| 引用本文： | 皇甫丽英,金平,勾秋静,李冬梅.MOS场效应晶体管辐照特性的实验研究[J].实验技术与管理,2006,23(3):38-40. |
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| 作者姓名： | 皇甫丽英 金平 勾秋静 李冬梅 |
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| 作者单位： | 清华大学,电子工程系,北京,100084 |
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| 摘 要： | 通过对NMOS和PMOS场效应晶体管在^60coγ射线下的辐照实验，研究辐照对不同宽长比（W／L）及不同偏置电压下的MOS管的阈值电压及其转移特性的影响。实验证明辐照使MOS管的阈值电压负向漂移，辐照时非零栅源电压引起的MOS管阈值电压漂移明显大于零栅源电压情况，宽长比对阈值电压漂移量影响不大。
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| 关 键 词： | MOS器件 辐照效应 阈值电压漂移 宽长比 |
| 文章编号： | 1002-4956（2006）03-0038-03 |
| 收稿时间： | 2005-09-13 |
| 修稿时间： | 2005年9月13日 |
Experimeatal Study on MOSFET under Irradiation Condition |
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| HUANGFU Li-ying,JIN Ping,GOU Qiu-jing,LI Dong-mei.Experimeatal Study on MOSFET under Irradiation Condition[J].Experimental Technology and Management,2006,23(3):38-40. |
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| Authors: | HUANGFU Li-ying JIN Ping GOU Qiu-jing LI Dong-mei |
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| Institution: | Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOS device Radiation effect threshold voltage shift W/L |
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