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| 非对称性隧穿势垒的单电子器件的存储特性电路模拟 | |
| 引用本文： | 周少华,赵光强,杨红官.非对称性隧穿势垒的单电子器件的存储特性电路模拟[J].中国科技信息,2005,2(19):97. |
| 作者姓名： | 周少华 赵光强 杨红官 |
| 作者单位： | 1. 湖南大学应用物理系;永州职业技术学院 2. 永州职业技术学院;湖南工程学院 3. 湖南大学应用物理系 |
| 摘 要： | 本文介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的MonteCarlo方法对Ge/Si复合纳米结构量子点MOSFET内存的电路模拟,得出由于台阶状复合势垒的作用,在擦写时间保持μs和ms量级的同时,存储时间可长达数年。从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾。 |
| 关 键 词： | 非对称势垒 复合纳米结构 单电子器件 电路模拟 |
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