摘 要: | 门极换向晶闸管(GCT)扩散阻挡层的研究The Research on Diffusion Barrier of Gate Commutated Thyristor摘要:通过对多种阻挡层特性的分析,选定了熔点高、化学稳定性好、电阻率低的TiN薄膜作为门极换向晶闸管阳极的阻挡层.采用磁控溅射技术生长的TiN,经俄歇电子谱仪分析表明,TiN阻挡层系统能有效地阻挡硅和铝的相互扩散,可作为门极换向晶闸管阳极理想的阻挡层材料.基金项目:辽宁省科技厅自然科学基金(002021);辽宁省教育厅自然科学基金(20021076)作者简介:吴春瑜(1953-),男,河北魏县人,辽宁大学教授,从事半导体物理与器件教学与研究…
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