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| 基于第一性原理N型InGaN电子结构和热电性质计算 | |
| 引用本文： | 赵紫轩.基于第一性原理N型InGaN电子结构和热电性质计算[J].科技风,2018(25). |
| 作者姓名： | 赵紫轩 |
| 作者单位： | 河北科技大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 热能能够通过热电材料的载流子作用转换成电能,过程中无任何污染,进而缓解能源问题的同时保护了环境。目前热电材料的研究是当代的一个热点,最核心的是解决热电材料的转换率,其实质就是提高热电材料的热电优值(ZT值)。第三代宽禁带半导体中的氮化物,具有较高的塞贝克系数,是很有潜力的热电材料,但是由于热导率较高导致了ZT值较低,这里对Ga N进行了In元素的合金化,对其热电性质进行优化。计算主要采用了第一性原理和玻尔兹曼理论,对N型In Ga N的电子结构和热电性质进行了计算,结果得到In Ga N的ZT值在1100 K时达到了0.048,和已知Ga N的ZT值相比性能提高了153%,合金化显著的提高了氮化物的热电转换效率。 |
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