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| 美国科学家发现光激发下单层二硫化钼导电能力下降 | |
| 引用本文： | 何屹.美国科学家发现光激发下单层二硫化钼导电能力下降[J].黑龙江科技信息,2014(32):I0005-I0006. |
| 作者姓名： | 何屹 |
| 摘 要： | <正>导读]美国麻省理工学院和哈佛大学的研究人员发现,单层二硫化钼半导体在光激发下导电能力下降。利用这一新的光电导机制有望研制下一代激子设备。科技日报华盛顿11月15日电(记者何屹)美国麻省理工学院和哈佛大学的研究人员发现,单层二硫化钼半导体在光激发下导电能力下降。利用这一新的光电导 |
| 关 键 词： | 导电能力 二硫化钼 光激发 美国科学家 单层 美国麻省理工学院 研究人员 哈佛大学 |
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