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| 磁控溅射法制备氧化镓薄膜 | |
| 引用本文： | 宋歌.磁控溅射法制备氧化镓薄膜[J].宿州教育学院学报,2007,10(2):126-127. |
| 作者姓名： | 宋歌 |
| 作者单位： | 浙江大学,浙江·杭州,310027 |
| 摘 要： | 随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化学稳定性。它作为一种新型的气体传感器材料近年来日益受到重视。本文研究了通过磁控溅射法制备氧化镓薄膜时,不同的热处理温度对氧化镓薄膜结晶质量的影响。并利用X射线衍射仪,紫外可见透射光谱,对氧化镓薄膜的结构性能及表面形貌进行了测试和分析。 |
| 关 键 词： | 氧化镓薄膜 磁控溅射 热处理温度 |
| 文章编号： | 1009-8534(2007)02-0126-02 |
| 修稿时间： | 2007年2月14日 |
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