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| 纳米MOS器件栅氧化层电子直接隧穿——量子力学教学中的“生长点” | |
| 引用本文： | 李竞春,罗谦,于奇,王向展.纳米MOS器件栅氧化层电子直接隧穿——量子力学教学中的“生长点”[J].教育教学论坛,2011(26):104-106. |
| 作者姓名： | 李竞春 罗谦 于奇 王向展 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
| 摘 要： | 针对量子力学势垒隧穿教学难点,通过对MOS结构栅氧化层电子直接隧穿的真实模型的讨论,使量子力学从抽象走向实际,教学更生动又易于理解,同时使学生开拓眼界、活跃思维,学到运用基础理论指导科学研究的方法。 |
| 关 键 词： | 纳米MOS 直接隧穿 栅极隧穿电流 |
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