电荷注入多重电极底栅有机场效应晶体管对接触和沟道电阻的影响期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

按检索

电荷注入多重电极底栅有机场效应晶体管对接触和沟道电阻的影响

摘要：	制备多重电极为WO3/Al/WO3、有机层为并五苯、绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的底栅有机场效应晶体管,与只有Al为电极的底栅有机场效应晶体管相比迁移率从0.0018cm2 V-1s-1增加到0.364cm2 V-11s-1,阈值电压从21V降到10V。主要原因是多重电极对底栅有机场效应晶体管的接触电阻和沟道电阻有了明显的改善。
本文献已被 CNKI 等数据库收录！