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| 硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ | |
| 引用本文： | 李先文,黄战龙,黄强.硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ[J].渭南师范学院学报,1998(2). |
| 作者姓名： | 李先文 黄战龙 黄强 |
| 作者单位： | 渭南师专化学系，渭南市中医学校 |
| 基金项目： | 陕西省教委专项科研基金 |
| 摘 要： | 用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管，并用其分析盐酸麻黄碱．传感器对麻黄碱的线性响应范围为１．０×１０－１～５．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ，斜率５９．５ｍＶ／ＰＣ，检测下限为２．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ，适宜ＰＨ范围４．０～８．０．用其分析盐酸麻黄碱片剂含量，分析结果和药典方法相一致 |
| 关 键 词： | 杂多酸 离子敏感场效应晶体管 盐酸麻黄碱 |
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