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| 半导体器件功率老化的结温控制方法研究 | |
| 引用本文： | 冯永杰,李斌,黄云.半导体器件功率老化的结温控制方法研究[J].实验技术与管理,2010,27(5). |
| 作者姓名： | 冯永杰 李斌 黄云 |
| 作者单位： | 1. 华南理工大学,电子与信息学院微电子研究所,广东,广州,510640;电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东,广州,510610 2. 华南理工大学,电子与信息学院微电子研究所,广东,广州,510640 3. 电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东,广州,510610 |
| 摘 要： | 半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制.为了确保半导体器件老化的可靠性,对现有的连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进,并给出相应的结温测试电路.理论分析和实验表明,调整脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率,确能使器件结温达到老化的要求,并分析了脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率对结温的影响.最后在此基础上,提出一种多个分立器件使用单电源串行功率老化的方法. |
| 关 键 词： | 半导体器件 功率老化 结温控制 |
Study of junction temperature control method for semiconductor devices under burn-in |
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| Feng Yongjie,Li Bin,Huang Yun.Study of junction temperature control method for semiconductor devices under burn-in[J].Experimental Technology and Management,2010,27(5). | |
| Authors: | Feng Yongjie Li Bin Huang Yun |
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| Keywords: | |
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