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半导体光催化剂光腐蚀的机理及抑制策略
引用本文:罗志珊,方圆梦,黄建辉.半导体光催化剂光腐蚀的机理及抑制策略[J].莆田学院学报,2023(2):1-10.
作者姓名:罗志珊  方圆梦  黄建辉
作者单位:1. 福建省新型污染物生态毒理效应与控制重点实验室;2. 福建省高校生态环境及其信息图谱重点实验室;3. 莆田学院环境与生物工程学院;4. 福州大学能源与环境光催化国家重点实验室;5. 福州大学环境与安全工程学院
基金项目:国家自然科学基金青年科学基金项目(22102030);;福建省自然科学基金资助项目(2022J011165);
摘    要:综述了半导体光催化剂发生光腐蚀的机理,并总结了抑制光腐蚀的策略,包括调控半导体光催化剂的晶粒大小、形貌结构、结晶度等物理性质,以及掺杂杂原子、构建异质结结构、半导体复合、与碳基材料耦合、调节反应条件等方面,旨在深入揭示光腐蚀的发生途径和作用原理,为有效解决半导体光催化剂的光腐蚀问题提供指导意见。最后,总结和展望未来光催化剂光腐蚀的抑制策略。

关 键 词:半导体  光催化剂  光腐蚀  光腐蚀机理  抗光腐蚀
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