| 正电子湮没技术在稀磁半导体中的应用 |
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| 引用本文： | 李东翔,李瑞琴,甘松,赵颖.正电子湮没技术在稀磁半导体中的应用[J].安顺师范高等专科学校学报,2014(4):132-134. |
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| 作者姓名： | 李东翔 李瑞琴 甘松 赵颖 |
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| 作者单位： | 安顺学院数理学院,贵州安顺561000 |
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| 摘 要： | 稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷属性和自旋属性，这使其成为了一个研究的热点。但是，针对它们的室温铁磁性的起源仍然存在较大的争议。文章通过介绍正电子湮没技术及其在表征材料缺陷中的独特应用，讨论了正电子湮没技术在研究氧化物稀磁性半导体室温铁磁性起源中的独特优势。
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| 关 键 词： | 正电子湮没技术 稀磁半导体 微观缺陷 室温铁磁性 |
The Application of in Dilute Magnetic Semiconductors |
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| Institution: | LiDongxiang, LiRuqin, Gansong, Zhapying (1、2、3、4. School of Mathematics,Anshun University,Anshun 561000,Guizhou,China) |
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| Abstract: | Diluted magnetic semiconductors have made a research hotspot due to their charge and spin properties .However , the origin of room temperature ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors is still under debate .This paper introduces the positron annihilation technique to apply in the characterization of materials defects .The positron annihilation technique has some unique advantages in studying on room temperature ferromagnetism in dilute magnetic semiconductors . |
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| Keywords: | positron annihilation technique diluted magnetic semiconductors microdefects room temperature ferromagnetism |
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