| 新型窄带隙半导体BiVO_4的制备与性能表征 |
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| 引用本文： | 傅梦笔,唐培松,曹枫,余丹凤,黄重金.新型窄带隙半导体BiVO_4的制备与性能表征[J].湖州师范学院学报,2009,31(1). |
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| 作者姓名： | 傅梦笔 唐培松 曹枫 余丹凤 黄重金 |
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| 作者单位： | 湖州师范学院生命科学学院,浙江湖州,313000 |
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| 基金项目： | 浙江省新苗人才计划基金，湖州市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 为了获得新型的窄带隙半导体可见光催化剂.以Bi(NO3)3、NH4VO3、NH3·H2O、NaOH和HNO3为原料,采用水热法在200℃温度条件下制备了BiVO4样品.采用X射线衍射光谱XRD和漫反射吸收谱DRS对Bi-VO4的物性进行了表征,并以偶氮染料甲基橙作为模拟污水研究了BiVO4的光催化性能.结果表明.BiVO4样品是单斜晶系,带隙为2.5eV的半导体.具有良好的可见光催化活性,是一类具有广泛应用前景的新型窄带隙半导体光催化剂.
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| 关 键 词： | 窄带隙半导体 光催化 |
The Preparation and Characteristics of the New Narrow Band-gap Semiconductor BiVO_4 |
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| FU Meng-bi,TANG Pei-song,CAO Feng,YU Dan-feng,HUANG Zhong-jin.The Preparation and Characteristics of the New Narrow Band-gap Semiconductor BiVO_4[J].Journal of Huzhou Teachers College,2009,31(1). |
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| Authors: | FU Meng-bi TANG Pei-song CAO Feng YU Dan-feng HUANG Zhong-jin |
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| Institution: | Faculty of Life Science;Huzhou Teachers College;Huzhou 313000;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BiVO4 |
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