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| 产生寿命深度分布的实验测定 | |
| 引用本文： | 张秀渺.产生寿命深度分布的实验测定[J].科技通报,1985(6). |
| 作者姓名： | 张秀渺 |
| 作者单位： | 杭州大学物理系 |
| 摘 要： | 现代半导体器件工艺的快速发展,对硅表层的质量提出了愈来愈高的要求。本文报导一种评价表层工艺质量的实验方法。一、理论分析简述若对MOS电容施加一个耗尽的阶跃脉冲,则MOS电容将处于深耗尽态。图1为一个N型衬底的MOS电容在深耗尽状态下的能带示意图由图可见,体和表面产生中心贡献的总产生电流可表为: |
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