|
|||||
|
|
| 氩离子入射角度对坡莫合金刻蚀速率影响研究 | |
| 作者单位： | ;1.兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室;2.物理科学与技术学院 |
| 摘 要： | 利用磁控溅射法在单晶硅基底上制备了200nm厚的坡莫合金薄膜,然后利用能量为500eV、束流密度为1mA/cm2的氩离子束分别以不同的入射角度对薄膜进行刻蚀。采用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、多晶X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)对沉积薄膜的成分、晶体结构和微观形貌进行了测试和分析。利用探针式表面轮廓分析仪测量研究坡莫合金(Ni81Fe19)薄膜刻蚀速率与离子入射角度的关系。实验结果发现:随着氩离子束入射角度变大,坡莫合金薄膜的刻蚀速率逐渐变大;当氩离子束入射角度为50°时,刻蚀速率达到最大值(60nm/min);随着氩离子束入射角度进一步增大到80°,刻蚀速率迅速降低到极小值。 |
| 关 键 词： | 坡莫合金 离子束 刻蚀速率 入射角影响 |
Study on influence of incident angle of Ar ion on etching rate of permalloy |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |