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| 半导体纳米薄膜导电特性测试 | |
| 引用本文： | 熊淑平.半导体纳米薄膜导电特性测试[J].实验室研究与探索,2014(2):57-59. |
| 作者姓名： | 熊淑平 |
| 作者单位： | 黄冈职业技术学院; |
| 摘 要： | 通过对某些测试方法的改进,设计了综合测试方案,以达到最终实现对薄膜样品膜面、膜厚两个方向上电导率和Seebeck系数的测试。制备了薄膜样品。应用电子束微影技术,在矽晶片表面制造纳米孔洞阵列结构,以改善半导体介面性质并增进其导电性,研究结果显示,在矽晶片表面建构方型孔洞阵列,且在孔洞够小的情况下,与未建构纳米孔洞而只做退火处理的对照样品相比,有效降低了导体的接触电阻,在金属导体电接触中,拥有更加优良的导电性,即在低温制程的中小孔洞阵列结构能取代退火处理。纳米科技有效增进半导体薄膜接点导电特性。 |
| 关 键 词： | 半导体 纳米 薄膜 导电特性 |
Test of Semiconductor Nano-film Conductive Characteristics |
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