含推拉电子结构的噁二唑衍生物的光电性能研究 |
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引用本文: | 严永新,刘天宝,蔡文雅,吴国志,盛鸿婷,汪新.含推拉电子结构的噁二唑衍生物的光电性能研究[J].池州学院学报,2011(6):47-48. |
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作者姓名: | 严永新 刘天宝 蔡文雅 吴国志 盛鸿婷 汪新 |
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作者单位: | 池州学院化学材料与工程实验中心;安徽大学化学化工学院 |
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基金项目: | 安徽省自然科学基金资助项目(090414190);安徽省教育厅自然科学基金重点资助项目(KJ2011A208);安徽省高等学校省级优秀青年人才基金资助项目(2010SQRL133);池州学院院级项目(2011ZR001);池州学院重点学科建设基金(2011XK04);纤维材料改性国家重点实验室资助 |
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摘 要: | 噁二唑是一类重要的电子传输基团。本文研究三种含不同取代基(-NO2、-CH3、-OC8H17)的噁二唑末端炔(M1-M3)的光电性能。结果表明,含吸电子硝基的M1有利于电子的注入,说明强吸电子基团能有效降低噁二唑环的LUMO能级。因此,可通过改变苯乙炔噁二唑分子中取代基的结构调节分子的带隙宽度和电子传输性能。
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关 键 词: | 噁二唑 荧光 循环伏安 |
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