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| 硅基与蓝宝石衬底上的GaN-LEDs性能差异分析 | |
| 作者单位： | ;1.南通大学电子信息学院 |
| 摘 要： | 在简要阐述硅基与蓝宝石衬底的GaN研究与发展基础上,就此两种不同衬底上GaN-LEDs性能进行了对比分析,并对这两种衬底上的LED进行了相应的表征实验。通过AFM和XRD等分析手段揭示了器件的结构特性,对器件性能(I-V和EL以及I-L测试)进行了相应的评价。通过分析相关实验数据得出:在电学特性与光学性能两方面,蓝宝石衬底上的LED均优于硅衬底上的LED。 |
| 关 键 词： | 氮化镓基发光二极管 硅衬底 蓝宝石衬底 电学特性 光学特性 |
Discussion on difference of performance in GaN-LEDs on silicon and sapphire substrate |
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| Keywords: | |
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