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| AlN陶瓷基片专利技术分析 | |
| 引用本文： | 钟玉姣,曹苏恬,温馨.AlN陶瓷基片专利技术分析[J].中国科技信息,2024(4):20-22. |
| 作者姓名： | 钟玉姣 曹苏恬 温馨 |
| 作者单位： | 国家知识产权局专利局专利审查协作四川中心 |
| 摘 要： | <正>随着第三代半导体的崛起和发展，半导体功率器件集成度和功率密度明显提高，电子封装系统的散热问题已成为影响其性能和寿命的关键。陶瓷基片因兼具高耐热性、高热导率、高可靠性、低的热失配率、好的绝缘性能和高频特性，被认为是最有前途的封装材料，近年来得以快速发展。 |
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