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| 电子技术基础(1)期末复习提要 | |
| 引用本文： | 沈雅芬.电子技术基础(1)期末复习提要[J].现代远程教育研究,1998(11). |
| 作者姓名： | 沈雅芬 |
| 作者单位： | 中央电大 |
| 摘 要： | 1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 掌握的内容半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN 型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS 管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数 I_F,I_R,U_((BR))的物理意义,半导体三极管(NPN 硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,a,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS 管主要参数 U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容 |
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