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| 加强宽禁带半导体材料的研发与应用 | |
| 引用本文： | 屠海令.加强宽禁带半导体材料的研发与应用[J].科学中国人,2018(2). |
| 作者姓名： | 屠海令 |
| 作者单位： | 中国工程院;中国半导体行业协会; |
| 摘 要： | 正宽禁带(一般指禁带宽度2.3eV)半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮。其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。回顾历史,20世纪50年代中期出现Si C晶体生长的第1个专利。2007年美国Cree公司成功制备直径100mm的SiC零微管衬底,而后推出二极管产品并在技术和应用层面取得了长足进展。GaN也是跨世纪期间方有较快发展,1993年GaN外延蓝光二极管研制成功,1996年白光LED诞生并迅速 |
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