| CdSe和CdSe／ZnS半导体量子点光谱特性的研究 |
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| 引用本文： | 马红,马国宏,王文军,高学喜.CdSe和CdSe／ZnS半导体量子点光谱特性的研究[J].南阳师范学院学报,2008,7(3):31-34. |
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| 作者姓名： | 马红 马国宏 王文军 高学喜 |
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| 作者单位： | 1. 上海大学,物理系,中国上,海200444
2. 聊城大学,物理科学与信息工程学院,山东,聊城252059 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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上海市科委科技计划
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上海市教委资助项目 |
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| 摘 要： | 利用X射线衍射谱（XRD）、紫外-可见（UV—Vis）吸收光谱、荧光光谱（PL）系统地研究了不同表面、多种尺寸的CdSe半导体量子点（QDs）的光学性质、结果显示表面修饰完善的样品的荧光光谱只有一个窄而强的带边发射；所有样品的荧光峰相对于1S-1S吸收峰有较大的红移，并且移动量随尺寸的减小而增加，利用激子的精细结构模型很好地解释了红移量和尺寸的关系；核／壳结构的样品的吸收峰和荧光峰相对于同尺寸的单量子点也有红移现象，这是由于CdSe和ZnS的晶格失配在界面上产生压力造成的。
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| 关 键 词： | 半导体量子点 红移 激子精细结构 晶格失配 |
| 文章编号： | 1671-6132(2008)03-0031-04 |
| 修稿时间： | 2008年1月10日 |
Optical properties in CdSe and CdSe/ZnS quantum dots |
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| MA Hong,MA Guo-hong,WANG Weng-jun,GAO Xue-xi.Optical properties in CdSe and CdSe/ZnS quantum dots[J].Journal of Nanyang Teachers College,2008,7(3):31-34. |
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| Authors: | MA Hong MA Guo-hong WANG Weng-jun GAO Xue-xi |
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| Institution: | MA Hong, MA Guo-hong, WANG Weng-jun, GAO Xue-xi ( 1. Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China ; 2. School of Physics ＆ Information Engineering, Liaocheng University, Liaocheng 252059, China) |
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| Abstract: | Size-dependent properties of CdSe and CdSe/ZnS semiconductor quantum dots were studied by X-ray diffraction （XRD）, UV-Vis absorption and photoluminescence （PL）. XRD showed hexagonal wurtzite structure. Room-temperature PL spectra of perfectly overcoated CdSe/ZnS only showed a narrow band edge emission. Emission peak was great red-shifted relative to absorption and the shift increases as the size decreases. The size-dependence of shift could be explained very well in terms of excition fine-structure model and stress at interface owing to lattice mismatch contributes to the shift between CdSe and CdSe/ZnS with the same size. |
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| Keywords: | semiconductor quantum dots red-shift exciton fine-structure model lattice mismatch |
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