| 一种0.6μm CMOS带隙参考电压源 |
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| 引用本文： | 梁帮立,王志功,田俊,冯军,夏春晓,胡艳,张丽,熊明珍.一种0.6μm CMOS带隙参考电压源[J].东南大学学报,2003,19(3). |
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| 作者姓名： | 梁帮立 王志功 田俊 冯军 夏春晓 胡艳 张丽 熊明珍 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所，东南大学射频与光电集成电路研究所，东南大学射频与光电集成电路研究所，东南大学射频与光电集成电路研究所，东南大学射频与光电集成电路研究所，东南大学射频与光电集成电路研究所，东南大学射频与光电集成电路研究所，东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096，南京210096，南京210096，南京大学物理系，南京210093，南京210096，南京210096，南京210096，南京210096，南京210096 |
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| 基金项目： | TheNationalNaturalScienceFoundationofChina(6982 5 10 1) |
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| 摘 要： | 利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理 ,采用CSMC HJ 0 6 μmCMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源 ,该带隙参考电压源可以在 0～ 85℃、电源电压 4 5～5 5V的范围内正常工作 ,输出参考电压为 1 12 2～ 1 176V ,输出参考电压浮动比例小于± 3 70 % .包括键合用的焊盘在内 ,芯片的总面积仅为 0 4mm× 0 4mm ,当电源电压在 4 5～ 5 5V范围内变化时 ,电路总的功率消耗在 2 8 3～ 4 8 8mW之间浮动 .
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| 关 键 词： | CMOS 相互补偿 迁移率和阈值电压温度效应 |
A 0.6 μm CMOS bandgap voltage reference circuit |
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| Liang Bangli,Wang Zhigong,Tian Jun,Feng Jun,Xia Chunxiao,Hu Yan,Zhang Li,Xiong Mingzhen.A 0.6 μm CMOS bandgap voltage reference circuit[J].Journal of Southeast University(English Edition),2003,19(3). |
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| Authors: | Liang Bangli Wang Zhigong Tian Jun Feng Jun Xia Chunxiao Hu Yan Zhang Li Xiong Mingzhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS mutual compensation mobility and threshold voltage temperature effects |
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