|
|||||
|
|
| 线宽达0.08微米 | |
| 引用本文： | 樊荣.线宽达0.08微米[J].中国科教创新导刊,1998(8). |
| 作者姓名： | 樊荣 |
| 摘 要： | 线宽达００８微米目前最先进的商用半导体图样是用０２５微米的加工技术制出的，而半导体工业协会根据来自工业界、政府部门和大学３００名科研人员的共同研究所设计的方案，要求公元２００９年实现００８微米线宽的目标。得克萨斯大学的重大突破之所以引人注目，是... |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |