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| ZnO:Ga麦克风微米结构的制备及其光学性质 | |
| 引用本文： | 张春志,刘影.ZnO:Ga麦克风微米结构的制备及其光学性质[J].今日科苑,2009(17). |
| 作者姓名： | 张春志 刘影 |
| 作者单位： | 大庆石油学院华瑞学院;哈尔滨市第九中学; |
| 摘 要： | 以混合的Zn粉和金属Ga作为源,通过热蒸发方法合成了高产率ZnO:Ga麦克风微米结构。室温光致发光表明,可见发光峰可能是由于ZnO样品中的表面缺陷态引起的。发光动力学表明,低温光致发光由中性施主束缚激子(D0,X)、中性受主束缚激子(A0,X)和A0,X的一个伴线(A0,X-1LO)组成。随温度的升高各个峰的强度迅速下降。最后被自由激子(FX)取代,成为占主导地位的峰。 |
| 关 键 词： | 麦克风 光致发光 发光动力学 |
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