| 有关负电阻元件的研究 |
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| 引用本文： | 郭玉清.有关负电阻元件的研究[J].中国科技信息,2009(4). |
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| 作者姓名： | 郭玉清 |
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| 作者单位： | 黑龙江农业经济职业学院 |
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| 摘 要： | 假设夸克是由于轻子发生分数质量转化、分数电荷转化、分数轻子数转化而形成的.夸克被色力束缚于重子之中.若提供足够的能量,就能够还原轻子由于形成束缚态夸克所转化了的分数质量、分数电荷,却形成自由态的介子.中子存在一个单位负电荷转化.负电阻元件利用多中子有机导电材料.由于电子向存在电荷转化的中子场扩散,这些电子原来的位置留下空穴,同时也存在电子对空穴的添补运动,此种材料可节能.
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| 关 键 词： | 质量转化 电荷转化 虚数电荷 负电阻 负电阻元件 |
RESEARCHED PROBLEM OF ELEMENT OF NEGATIVE RESISTANCE |
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| Guo Yuqing.RESEARCHED PROBLEM OF ELEMENT OF NEGATIVE RESISTANCE[J].CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION,2009(4). |
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| Authors: | Guo Yuqing |
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