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| 磁控溅射法制备硅纳米晶体及其光电特性研究 | |
| 引用本文： | 王威,丁澜,马锡英.磁控溅射法制备硅纳米晶体及其光电特性研究[J].中国科技信息,2011(7):33-34. |
| 作者姓名： | 王威 丁澜 马锡英 |
| 作者单位： | 苏州科技学院数理学院物理科学与技术系,苏州,215011 |
| 摘 要： | 本文介绍了以高纯硅为靶材,利用直流磁控溅射法在P型硅（111）衬底上生长硅纳米晶体薄膜,并在600摄氏度温度下退火处理。应用扫描电镜观察发现制备的硅纳米晶体粒度均匀,薄膜粗糙度小。X射线衍射仪分析发现硅纳米晶体具有（201）晶面取向生长的特点。与块体材料相比,硅纳米晶体不仅具有良好的电学性能,还具有良好的光学性能,其吸收谱包含本征、激子和自由载流子等丰富的吸收峰。 |
| 关 键 词： | 硅纳米晶体 磁控溅射 扫描电镜 红外光谱 X射线衍射 |
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