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| 选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展 | |
| 引用本文： | 张帷,刘彩池,郝秋艳.选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展[J].中国科技信息,2008(1):285. |
| 作者姓名： | 张帷 刘彩池 郝秋艳 |
| 作者单位： | 河北工业大学材料学院,天津300130 |
| 摘 要： | Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理，化学性质稳定等特点，在光电子，微电子等领域有广泛的应用，降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键，也是人们始终致力于研究的内容，本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法，原理，进展情况进行了介绍。 |
| 关 键 词： | GaN薄膜 生长技术 制备 化合物半导体 Ⅲ族氮化物 化学性质 缺陷密度 宽禁带 |
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