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| 外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响 | |
| 引用本文： | 陈涛,王文林,薛兵.外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响[J].科技风,2014(16). |
| 作者姓名： | 陈涛 王文林 薛兵 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所; |
| 摘 要： | 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在6英寸111晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长厚度11μm、电阻率1.6Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为100V肖特基二极管的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR、CV等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过对比不同过渡区结构对肖特基器件I-V特性的影响,总结出外延过渡区与肖特基二极管I-V特性的对应关系,作为材料制备的理论支撑。 |
| 关 键 词： | 硅外延片 肖特基二极管 过渡区 I-V特性 |
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