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| 热氧化法在GaN衬底上合成Cu_2O薄膜 | |
| 引用本文： | 沈锴.热氧化法在GaN衬底上合成Cu_2O薄膜[J].大众科技,2010(7):104-105. |
| 作者姓名： | 沈锴 |
| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
| 摘 要： | 通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 |
| 关 键 词： | 氧化亚铜 热氧化法 退火 |
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