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| 半导体GaN三阶非线性光学性质研究 | |
| 引用本文： | 石圣涛,李中国,宋瑛林.半导体GaN三阶非线性光学性质研究[J].黑龙江科技信息,2012(33):8-9. |
| 作者姓名： | 石圣涛 李中国 宋瑛林 |
| 作者单位： | 苏州大学,江苏苏州,215006 |
| 摘 要： | 用双4f相位成像技术，对半导体GaN多晶在600nm，皮秒时城的三阶非线性光学性质进行了实验测量。根据相关理论，通过数值模拟确定了GaN在相关条件下的三阶非线性光学参数。实验测量得到的双光子吸收系数β=9．54×10^-11（m／W），三阶非线性折射率，n2=-1．33×10^-17（m^2／W），该结果表明GaN是一种性能优异的非线性光学材料。． |
| 关 键 词： | 双4f相位成像技术 GaN 相位物体 光学非线性 |
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