金属线刻蚀工序光刻胶剥离工程中金属颗粒(Cu)析出案例调查及解决方案 |
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引用本文: | 陈帆,戎蒙恬.金属线刻蚀工序光刻胶剥离工程中金属颗粒(Cu)析出案例调查及解决方案[J].黑龙江科技信息,2008(8):27-27,178. |
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作者姓名: | 陈帆 戎蒙恬 |
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作者单位: | 上海交通大学,电子工程系,上海,200000 |
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摘 要: | 在现今大规模集成电路制造过程中,某些Memory,LCD产品的金属线刻蚀工序,在刻蚀生成聚合物的洗净过程中容易产成金属颗粒(主要是Cu颗粒)。对其工艺流程因素,机台硬件因素,产生机理进行了调查,得出了结论,并提出了有效的解决方案。
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关 键 词: | 光刻胶剥离 聚合物 Cu 颗粒析出 刻蚀 电迁徙 |
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