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| 集成运算放大器受辐射效应的研究 | |
| 引用本文： | 邹慰亲,陈愿,徐扬子,黄学雄.集成运算放大器受辐射效应的研究[J].广东技术师范学院学报,1996(4). |
| 作者姓名： | 邹慰亲 陈愿 徐扬子 黄学雄 |
| 作者单位： | 广东民族学院电子工程系，湖北师范学院物理系 |
| 摘 要： | 研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应．发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Ｖｉｏ、Ｉｉｏ、ＩＢ＋、ＩＢ－等电参数明显增大，放大系数减小，停止辐射并经历一定条件的退火处理，这些电参数可以基本恢复．斩波式自动稳零型ＣＭＯＳ集成运算放大器抗γ辐射能力较强．集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤． |
| 关 键 词： | 集成运算放大器，γ辐射，退火，电离损伤 |
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