| 高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究 |
| |
| 引用本文： | 刘赐德,钱明,李心豪,丁楠,刘旭焱.高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究[J].南阳师范学院学报,2015(3):12-15. |
| |
| 作者姓名： | 刘赐德 钱明 李心豪 丁楠 刘旭焱 |
| |
| 作者单位： | 南阳师范学院物理与电子工程学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61306007);河南省教育厅科学技术研究重点项目(14A510004);南阳师范学院青年项目;南阳师范学院SPCP项目(ZB-2014-087) |
| |
| 摘 要： | 展开了高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究.利用有限元数值分析手段,分析了栅介质厚度对MOS管驱动电流和阈值电压的影响,得到在不同栅介质厚度值情况下对应的输出特性曲线和转移特性曲线以及不同k值下的漏端电流.结果表明,减小栅介质层厚度,MOS管的驱动电流持续增加,阈值电压也显著下降.同时,在一定范围内随着k值的增大MOS管的漏端电流持续增加.
|
| 关 键 词： | 数值模拟 栅介质厚度 驱动电流 阈值电压 |
Numerical simulation study on the influence of the high-k gate dielectric thickness to MOS device characteristics |
| |
| LIU Ci-de;QIAN Ming;LI Xin-hao;DING Nan;LIU Xu-yan.Numerical simulation study on the influence of the high-k gate dielectric thickness to MOS device characteristics[J].Journal of Nanyang Teachers College,2015(3):12-15. |
| |
| Authors: | LIU Ci-de;QIAN Ming;LI Xin-hao;DING Nan;LIU Xu-yan |
| |
| Institution: | LIU Ci-de;QIAN Ming;LI Xin-hao;DING Nan;LIU Xu-yan;School of Physics and Electronic Engineering ,Nanyang Normal University; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
