| Ta2O5能带结构与性质的第一性原理模拟 |
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| 引用本文： | 马浩.Ta2O5能带结构与性质的第一性原理模拟[J].鸡西大学学报,2013(12):67-70. |
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| 作者姓名： | 马浩 |
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| 作者单位： | 中国矿业大学材料学院,江苏徐州221116 |
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| 基金项目： | 本文获得国家大学生创新训练计划项目（201211290106）资助. |
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| 摘 要： | Ta2O5是一种在薄膜材料中具有重要用途的晶体材料。采用第一性原理平面波赝势法，分别计算了本征态Tazos晶体以及存在0空位（Vo）、Ta空位（VTa）、0反替位Ta（Ota）和O间隙（Oi）本征缺陷时Ta2O5晶体的态密度和能带结构，得到了不同的带隙值并对计算结果进行了分析，该结果表明0反替位Ta（OTa）缺陷存在时对Tazos晶体能带结构的带隙值影响最大，其次是O空位（Vo）。
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| 关 键 词： | Ta2O5晶体 本征缺陷 第一性原理 能带结构 态密度 |
First- principle Calculations of the Band Gap and Properties of Ta2O5 |
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| Ma Hao.First- principle Calculations of the Band Gap and Properties of Ta2O5[J].JOurnal of Jixi University:comprehensive Edition,2013(12):67-70. |
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| Authors: | Ma Hao |
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| Institution: | Ma Hao (School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology, Xuzhou, Jiangsu 221116, China) |
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| Abstract: | Ta2O5 is a very important crystal material in thin film material . Based on the plane wave ultrasofi pseudopotential method , we calculate the density state and the band structure energy of the original state of Ta2O5 crystals as well as the existence of O vacancies （Vo）, Ta vacancy （VTa）, O counter for Ta（Ota） and O clearance defects（Oi）. We got the different band gap val- ues and analyzed the calculated results, the results showed that the O counter for Ta（Ota） defects had the greatest effect to the band structure of Ta2O5 crystal, followed by O vacancies （Vo）. |
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| Keywords: | Ta2O5 crystals original defects first principles band structure density of states |
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