磁控溅射制备MoS_2/C复合薄膜及其结构表征 |
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作者单位: | ;1.三明学院机电工程学院 |
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摘 要: | 采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料.
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关 键 词: | 磁控溅射 二硫化钼 复合薄膜 |
Preparation and Characterization of the MoS_2/C Composite Films by Magnetron Sputtering |
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