| 电沉积法制备TNTs/CdSxSey异质结及其光电性能研究 |
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| 引用本文： | 王苏宁,徐炳文,王伟,黎燕,莫德清,钟福新.电沉积法制备TNTs/CdSxSey异质结及其光电性能研究[J].梧州学院学报,2015(3). |
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| 作者姓名： | 王苏宁 徐炳文 王伟 黎燕 莫德清 钟福新 |
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| 作者单位： | 1. 桂林理工大学 化学与生物工程学院,广西 桂林,541004
2. 桂林电子科技大学 生命与环境科学学院,广西 桂林,541004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 以TiO2纳米管阵列（TNTs）为基底，采用电化学沉积法制备TNTs/CdSxSey异质结，在单一变量的基础上结合正交实验，探讨了络合剂的选择、沉积时间、沉积温度、 Na2S2O3浓度、柠檬酸浓度、沉积电压等条件对TNTs/CdSxSey异质结光电压的影响。结果表明，当Na2S2O3浓度为0.009 mol·L-1、柠檬酸的浓度为0.025 mol·L-1时，在20℃、2.4 V沉积电压下电化学沉积5 min，获得的TNTs/CdSxSey异质结光电压值达0.2672 V，优于同等条件下空白TNTs的0.0917 V。XRD结果显示， CdSxSey的主要衍射峰位于2θ为26.276°、27.992°、51.285°、52.842°的位置，分别对应于标准卡片CdS0.25Se0.75的002]、101]、112]、201]晶面，属于六方晶系，在2θ为37.600°、47.565°处出现Se的单质峰，在2θ为62.728°、72.033°处出现六方晶系单质Cd的（110）、（112）晶面。根据EDS的数据分析可知， Cd、 S、 Se的原子个数百分比分别为2.57%，0.63%，4.76%，对Cd进行归一化处理后，可确定所得样品的化学式为TNTs/Cd1.02S0.25Se1.89，其中含0.02的单质Cd和1.14的单质Se，扫描电子显微镜（SEM）显示所制样品为50~100 nm量子点。
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| 关 键 词： | TNTs CdSxSey纳米晶 异质结 电化学沉积 光电压 |
A Research into the Electro-deposition Method and Photoelectric Performance of TNTs/CdS xSey Hetero-junction |
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| Wang Suning,Xu Bingwen,Wang Wei,Li Yan,Mo Deqing,Zhong Fuxin.A Research into the Electro-deposition Method and Photoelectric Performance of TNTs/CdS xSey Hetero-junction[J].Journal of Guangxi University Wuzhou Branch,2015(3). |
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| Authors: | Wang Suning Xu Bingwen Wang Wei Li Yan Mo Deqing Zhong Fuxin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdSxSey nanocrystalline Electro-chemical deposition Light voltage |
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