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微控制器DPI测量的电磁传导抗扰度特性模型
引用本文:高雪莲,田聪颖,陈银红,陈彦宇.微控制器DPI测量的电磁传导抗扰度特性模型[J].石家庄学院学报,2010,12(6).
作者姓名:高雪莲  田聪颖  陈银红  陈彦宇
基金项目:国际科技合作计划,华北电力大学青年博士基金
摘    要:提出1种描述微控制器直接功率注入(direct power injection,DPI)测量电磁传导抗扰度特性的模型.该模型在国际已有模型的基础上,在PDN模块中增加了内核网络、PLL,A/D网络等模型,能更精确的反映PDN的物理情况,同时能实现集成电路电磁兼容模型的标准化建模.最后,在不同频率的射频电磁干扰下对微控制器被测I/O端口抗扰度进行仿真分析,并与测量结果对比,结果表明在500 MHz以下,模型预测抗扰度的不确定度在允许范围内.该模型应用于PCB级别,可精确仿真PCB板的电磁兼容情况,仿真精度远高于使用IBIS模型.

关 键 词:电磁抗扰度  电磁兼容特性  微控制器  直接功率注入测量

A Direct Power Injection Model of a Microcontroller for Electromagnetic Immunity Prediction
GAO Xue-lian,TIAN Cong-ying,CHEN Yin-hong,CHEN Yan-yu.A Direct Power Injection Model of a Microcontroller for Electromagnetic Immunity Prediction[J].Journal of Shijiazhuang University,2010,12(6).
Authors:GAO Xue-lian  TIAN Cong-ying  CHEN Yin-hong  CHEN Yan-yu
Abstract:
Keywords:
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