| 反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应 |
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| 引用本文： | 吴琦,胡紫英.反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应[J].零陵学院学报,2004(11). |
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| 作者姓名： | 吴琦 胡紫英 |
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| 作者单位： | 湖南科技学院电子工程与物理系，湖南科技学院电子工程与物理系 湖南 永州 425006，湖南 永州 425006 |
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| 基金项目： | 零陵学院院级课题(零院字[2003]81号)
永州市科技局(永科发[2004]19号) |
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| 摘 要： | 提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。
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| 关 键 词： | 反对称磁垒纳米结构 电子自旋极化 隧穿输运 |
Electron-spin polarization effect in asymmetric magnetic-barrier nanostructures |
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| Authors: | WU Qi HU Zi-ying |
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| Abstract: | We propose a kind of asymmetric magnetic-barrier nanostructures and study its electron-spin transport properties. It is shown that, when the interaction between the electron spins and inhomogeneous magnetic field is considered this kind of magnetic-barrier nanostructures shows up an evident electron-spin polarization effect. Moreover, electron-spin polarization are relevant to the structure parameters of the system, so we can control spin-polarized electronic behavior by means of adjusting ferromagnetic stripes. |
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| Keywords: | asymmetric magnetic nanostructures electron-spin polarization resonantly tunneling |
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