| Si/SiC纳米复合薄膜退火工艺的控制 |
| |
| 引用本文： | 贾士利,孙景,李家俊,杜希文,赵乃勤,师春生.Si/SiC纳米复合薄膜退火工艺的控制[J].实验技术与管理,2006,23(7):30-32. |
| |
| 作者姓名： | 贾士利 孙景 李家俊 杜希文 赵乃勤 师春生 |
| |
| 作者单位： | 天津大学,材料与科学工程学院,天津,300072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;天津市自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 讨论了Si／SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制。半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性能，直接受到退火工艺的影响和制约，退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素，可能使得薄膜变成并不是所期望得到的结果。该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火，提高了退火可信度，使纳米复合薄膜的结果更可靠。
|
| 关 键 词： | 纳米复合薄膜 溅射 退火 |
| 文章编号： | 1002-4956（2006）07-0030-03 |
| 收稿时间： | 2005-12-30 |
| 修稿时间： | 2006-02-20 |
Control on annealing technique of Si/SiC nano-composite thin films |
| |
| JIA Shi-li,SUN Jing,LI Jia-jun,DU Xi-Wen,ZHAO Nai-qin,SHI Chun-sheng.Control on annealing technique of Si/SiC nano-composite thin films[J].Experimental Technology and Management,2006,23(7):30-32. |
| |
| Authors: | JIA Shi-li SUN Jing LI Jia-jun DU Xi-Wen ZHAO Nai-qin SHI Chun-sheng |
| |
| Institution: | School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China |
| |
| Abstract: | This paper discussed the preparation and annealing technique of Si/SiC nano-composite thin films.The photoluminescence(PL) results are affected and confined by the annealing technique directly.The component and surface status of films of sputtered films after anneal would not be expected.By introducing several different annealing techniques,we clarify the best way of annealing to ensure the real property of nano-composite films. |
| |
| Keywords: | nano-composite thin films sputtering annealing |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
