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《中国科学院院刊》2001,16(4):269-271
国家科技进步奖二等奖成果1 6 70ｎｍ半导体量子阱激光器批量生产完成单位 :半导体研究所该项目属于信息技术领域中光信息处理和存储系统关键光电子器件———ＧａＩｎＰ/ＩｎＧａＡｌＰ应变量子阱可见光红光波段 (λ =6 2 0ｎｍ— 6 90ｎｍ)激光器中试规模批量生产技术的研究。要求完成全套工艺技术、企业标准和质量控制文件 ;建立一条完整的月产达到 50 0 0支 6 70ｎｍ可见光激光器生产能力生产示范线 ,是由半导体研究所“光电子器件国家工程研究中心”承担 ,在已有的研究成果和技术基础上发展起来的 ,是我国开展数字化信息处理和存储系… 相似文献
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专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。 相似文献
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刘式墉教授长期从事信息光电子学的研究，在光波导器件物理、半导体激光器及物理、光电子集成器件、有机发光器件、聚合物AWG、光电子及其集成器件的计算机辅助设计、多晶硅TFT阵列设计等方面做出了一些有意义的工作： 相似文献
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随着世界高新技术的飞速发展和竞争的日趋激烈,基于半导体低维结构的固态量子信息、低维光电子器件研究已成为国际上的热门领域之一。实验制备高质量量子点、量子线、量子环等低维结构,制备GaAs基近红外激光器、探测器都是国际上具有重要应用前景的研究课题。在国内,业界的科学 相似文献
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本文介绍了"半导体光电子学"双语教学中通过精选教学内容、根据具体情况采取适当的教学模式、加强课堂互动、充分利用多媒体课件等手段提高教学效果的一些体会. 相似文献
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采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ． 相似文献
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半导体超晶格是当代固体物理学的新生长点和重要前沿领域。它是以具有各种人工剪裁能带结构的半导体低维电子系统(二维、一维和零维)为其主要研究对象,涉及半导体物理、材料和器件的综合性研究领域。“半导体超晶格微结构”的研究属国家自然科学基金委员会重大基金项目,它以探索、开发新一代固态电子、光电子器件作为研究工作的着眼点,以生长超薄、陡变和大面积均匀的超晶格、多层异质结等低维量子结构的分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等超薄层材料生长手段为技术基础,着重开展半导体超晶格低维系统与普通三维固体不同的新物理现象和效应及其潜在的应用前景方面的基础研究,研究和探索新一代超晶格量子器件的新原理、新模式和新结构。本项目的总体设想是要在全国范围内组织起具有国内第一流水平,国际先进水平的,对半导体超晶格量子阱材料、物理和器件进行综合性基础研究的科研实体,经过“七五”和“八五”期间的工作,应当将我国在该领域内的基础研究整体水平推进到国际先进行列,并且在某些专题研究方面应当做出具有特色的,国际领先的研究成果。 相似文献
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过去十年,信息转换、信息处理及信息测量技术取得了革命性进展,导致小型信息系统呈现容量和速度上的显著增加。从光通信到医用光传感器,光电子学的发展在当今的几种现代技术中都处于领先地位。虽然它将继续在信息网络系统中发挥关键作用,但集成化的光电子学还将为与之平行的计算技术开拓有希望的未来。 相似文献
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半导体固态照明采用InGaN基量子阱发光二极管(LED),不仅可以节省能源、减少污染,还具有体积小、寿命长等优点.但是LED外量子效率一直较低,文章介绍了LED芯片表面加工的各种微结构.如表面粗糙化结构,二维光子晶体结构,在p-GaN上生长纳米杆等.从而有效提高了LED外量子效率. 相似文献
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王娜 《科技成果管理与研究》2021,16(6):6-7
量子信息科学是由物理科学与信息科学等多个学科交叉融合所形成的一门新兴前沿学科,在经济、社会乃至国防军工事业中发挥着重要的作用,已成为国家科技发展战略的重要组成部分.半导体光电子材料及其相关器件是发展量子信息科技的关键支撑之一,只有解决材料器件基础问题,才能掌握量子信息研究的主动权.宋海智教授长期致力于半导体光电子材料和器件等方面的开发,积累了丰富的量子信息研究经验. 相似文献
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科技期刊的发展与期刊所属领域科技和市场的发展密切相关.回顾了<激光与光电子学进展>改版的时代背景、措施以及两年来取得的成果,总结了其中的成功之处和存在的不足,最后提出了一些建议. 相似文献
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对物质状态的调控是推动科技发展的重要源动力之一。在人类发展历史上,对硅基材料中电子的调控,导致了晶体管等电子器件的诞生,从而进入信息时代。但是,进入21世纪以来,随着器件尺寸的不断减小,能耗问题、量子隧穿与量子涨落效应等从根本上阻碍了器件的进一步微型化和集成,成为现代信息和电子科技发展的瓶颈。我们迫切地需要探索、开发高效率、低能耗和突破量子尺寸效应的新一代器件。从物理本质上看,传统的半导体器件的物理基础,是半导体中电子的扩散输运现象。可以说对半导体中电子扩散输运的深刻理解,催生了20世纪下半叶的一系列信息工业的革命。因此,要突破目前电子工业的发展瓶颈,也必须建立在对凝聚物质新材料、新物态中电子运动模式的深刻理解之上。 相似文献
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本文提出了一个GaAs/AlxGa1-xAs量子点量子阱的理论模型,并采用二能级模型对其尺寸相关的三阶极化率进行了计算.计算结果表明:对一个GaAs/AlxGa1-xAs盘状量子点量子阱,其三阶极化率的变化规律与量子点的径向尺寸的变化有密切关系. 相似文献
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黄永箴,1963年1月生。中国科学院半导体研究所研究员,于1983年、1986年和1989年在北京大学物理系分别获得学士、硕士和博士学位,1989年进入中科院半导体研究所工作。现任集成光电子学国家重点联合实验室学术委员会主任及半导体所实验区主任,中科院半导体所学术委员会副主任。2002年获得国家杰出青年科学基金,重点研究微腔的模式特性及微腔激光器,在单向输出微腔半导体激光器的研究上获得系列创新性成果。两次获得中国科学院优秀研究生指导教师奖,指导的博士获得五次中科院院长优秀奖、两次中科院优秀博士论文和2008年全国百篇优秀博士论文。 相似文献
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在变革中前行 —— 《激光与光电子学进展》改版回顾 总被引：2，自引：2，他引：0
科技期刊的发展与期刊所属领域科技和市场的发展密切相关。回顾了《激光与光电子学进展》改版的时代背景、措施以及两年来取得的成果,总结了其中的成功之处和存在的不足,最后提出了一些建议。 相似文献
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半导体照明已成为光电转换效率最高的人工光源,节能效益显著.氮化物半导体材料与器件是半导体照明的"核芯",实现超高能效发光器件是国内外半导体照明研发和产业界追求的目标,对掌握半导体照明科技制高点和产业主导权意义重大.
在国家重点研发计划"战略性先进电子材料"重点专项"超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究"项目(项目编号:2017YFB0403100)的支持下,由中国科学院半导体研究所牵头的项目团队依据半导体照明光源全技术链展开,系统突破材料、芯片、封装与光谱技术,在掌握载流子复合规律基础上建立高效器件模型,通过高质量外延材料提升内量子效率,通过芯片和封装设计提升光提取效率,通过光谱匹配实现高效白光器件,并取得了一系列重要进展. 相似文献
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氮化镓，是直接带隙半导体材料，在室温下有很宽的带隙（3.39eV）。它在光电子器件如蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用。本文系统地介绍了氮化镓的各种制备方法，对其结构和性能关系的研究,揭示了它在半导体领域广泛且重要的应用前景。 相似文献