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石墨烯材料具有优异的使用性能,因此石墨烯材料的制备正成为材料科学研究的热点。介绍了目前制备石墨烯的主要方法,包括机械剥离法、Si C外延生长法、化学气相沉积法、电化学法、化学氧化还原法、电弧放电法,阐述了各个制备方法的作用机理,并列出了一些研究现状。最后,对石墨烯的发展作出了展望。 相似文献
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碳纳米材料被誉为21世纪的重要材料,而其本身所拥有的潜在优越性,在化学、物理学及材料学领域具有广阔的应用前景,成为全球科学界各级科研人员争相关注的焦点.本文介绍了碳纳米材料的制备方法、应用领域、国内研究现状. 相似文献
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介绍了化学气相沉积(CVD)技术的应用,还有化学气相沉积(CVD)技术的最新发展,包括等离子增强化学气相沉积、激光化学气相沉积、金属有机化合物化学气相沉积;同时介绍了化学气相沉积(CVD)和化学液相沉积(CLD)技术在改性沸石催化性能方面的应用和研究。 相似文献
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正石墨烯量子点作为零维纳米材料,以其优异的电学、热学、光学等特性备受关注。从中国专利角度出发,研究石墨烯量子点的主要制备方法、制备技术以及其创新资源等情况,以期为石墨烯量子点技术发展提供参考。石墨烯量子点缩小法制备技术主要包括水热法、剥离法、强酸氧化法等,石墨烯量子点扩大法制备技术主要包括富勒烯法、共燃法、热解碳化法、溶液化学法等。 相似文献
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,探索性研究制备μc-Ge:H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge:H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。 相似文献
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中国科学院化学研究所 《中国科学院院刊》2016,31(Z1):37-38
正金刚石和石墨是天然的碳同素异形体,自20世纪80年代以来,科学家陆续制备了富勒烯、碳纳米管、石墨烯三类非天然碳同素异形体,其中富勒烯和石墨烯的发现分别获得诺贝尔化学奖和物理学奖。化学所的科研团队从表面化学反应结合固态生长合成化学的新视角出发,首次在铜表面上合成了具有本征带隙sp杂化的二维碳的新同素异形体——石墨炔,开辟了人工化学合成碳同素异形体的先例。石墨炔(Graphdiyne)是 相似文献
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2010年,诺贝尔物理学奖颁发给了两位来自俄罗斯的研究学者,他们以“关于二维石墨烯材料的开创性实验”赢得桂冠。
什么是石墨烯？它有哪些性质？中科院强激光材料重点实验室研究员王俊介绍道,“石墨烯属于二维碳纳米材料,是至今发现的厚度最薄和强度最高的材料。薄是因为石墨烯是由单层碳原子构成的二维晶体,厚度只有一个碳原子大小。虽然薄到极致却非常致密,即使原子尺寸极小的氦也无法穿透它。”当然科学界都在关注石墨烯的研究进展,青年研究员王俊在低维碳纳米光子学材料、性质及器件研究方面表现出色,获得了国内外同行的广泛关注和认可。 相似文献
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<正>碳纳米管（CNTs）是管状纳米级石墨晶体,为单层或多层的石墨烯层围绕中心轴按一定的螺旋角卷曲而成的无缝纳米级管状结构。由日本科学家于1991年发现。常用的碳纳米管制备方法主要有电弧放电法、激光烧蚀法、化学气相沉积法（碳氢气体热解法）、固相热解法、辉光放电法、气体燃烧法以及聚合反应合成法等。其原子排布与键合方式、尺度及拓扑学因素等,赋予了其极为独特的结构和优异性能, 相似文献
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<正>本文针对碳纳米管的制备工艺的相关专利进行了系统分析,提出了碳纳米管工艺发展方向的研究现状的观点。在碳纳米管材料制备行业起到指引作用。碳纳米管属于一种一维纳米材料,其可以被认为是由石墨烯片层卷曲而成,单层石墨烯可以卷曲形成单壁碳纳米管,多层石墨烯可以卷曲形成多壁碳纳米管;根据碳纳米管导电性的不同,碳纳米管可以呈现金属性或半导体性; 相似文献
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本文以"柠檬酸法"制备的Mo1Fe10催化剂,以无水乙醇为碳源的化学气相沉积法(ACCVD)制备单壁碳纳米管(swcnts),实验采用温度和气流分布更为均匀,更易放大的流化床反应器。本实验考查了在相同的催化剂Mo1Fe10下,载气Ar气的流量为150ml/min,无水乙醇为碳源,不同温度下对制备单壁碳纳米管的影响。实验表明:在950℃时制备的单壁碳纳米管具有管径均匀,不定型碳含量少等特点。 相似文献
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二氧化钛薄膜材料制备工艺研究进展 总被引：1，自引：0，他引：1
TiO2薄膜材料由于其具有颜料特性及高的催化活性和光稳定性而应用广泛。本文通过查阅大量文献资料，主要对制备TiO2薄膜的常用方法，如溶胶-凝胶法，溅射法，化学气相沉积法进行了综述，以及对TiO2薄膜的制备工艺的发展趋势进行了简述。 相似文献
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利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。 相似文献