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中国科学院基础科学局 《中国科学院院刊》2003,18(2):100-104,157
纳米结构/薄膜生长及表面动力学问题研究完成单位：物理研究所主要完成人：薛其坤，王恩哥，贾金锋，刘邦贵随着微/光电子器件性能的多样化程度增加和其尺寸不断减小的发展趋势，具有零维、一维和二维尺度的表面纳米结构/薄膜已成为开拓新一代功能器件的研究前沿。在原子水平上研究生长过程中的表面动力学问题，对于生长初期纳米结构的形成和控制直至应用都是极端重要的。然而，尽管人们在理论和实验方面都进行了长期探索，但仍有很多基本问题没有解决。如，在薄膜外延生长中，常常引入表面活性剂来提高薄膜质量，已建立了20多年的经典扩散… 相似文献
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以王恩哥和薛其坤为学术带头人的中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室"纳米结构薄膜生长机理和原子尺度控制"研究群体是国家自然科学基金委员会创新研究群体基金的首批资助群体之一.他们在科研工作中做出了令人瞩目的成绩. 相似文献
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肖旭东出生于江西吉安,1986年毕业于中国科技大学,并以名列前茅的成绩考取李政道先生主持的中美联合物理研究生项目(CUSPEA),来到美国加州大肖教授在作报告学伯克莱分校求学。求学期间,在导师沈元壤教授的指导下,发展了线性光学衍射术研究亚单层原子/分子表面扩散的现象。其后, 相似文献
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以高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V)为靶材,Ar为工作气体,N2为反应气体,利用反应式直流磁控溅镀在硅晶片和车削刀具上制备高熵合氮化薄膜,探讨不同溅镀沉积时间对(Al Cr Nb Si Ti V)氮化物薄膜表层微结构及机械性质的影响。沉积薄膜中所有元素的相对原子浓度与高熵合金靶材相当。氮化物薄膜组织均匀、致密地附着于基材,薄膜表面为颗粒状组织。随着溅镀时间的增加,显示薄膜表面晶粒变大,薄膜沉积速率下降。应用高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V) N氮化物薄膜镀层刀具干式切削S45C中碳钢圆柱工件时,工件表面的粗糙度和刀具的侧面磨损显著降低。研究显示镀层可有效提升刀具切削效率,延长刀具使用寿命,溅镀时间30 min时,车削刀具的切削性能最佳。 相似文献
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薄膜,是指通过物理或化学过程,以原子、分子或离子形式受控地凝结于某一基体材料上所形成的固体材料。处于薄膜形态的物质,与对应的体材料相比,具有其一系列独特性质。所以,在现代微电子学领域中,薄膜器件正在发挥着越来越大的作用。事实上,薄膜科学与器件技术已经成为现代科学技术中不可缺 相似文献
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原子分子物理学是研究原子分子结构、性质、相互作用和运动规律,阐明物理学基本定律,提供各种原子分子信息和数据的一门科学,它是人类认识物质世界的重要基础,对阐明物理学的基本规律和检验物理学定律起着重大作用。原子分子物理既是一门非常基础的学科,同时也在国家需求中扮演着重要角色。 相似文献
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复杂元器件上采用磁控溅射镀膜,薄膜与基片结合强度关系产品质量。从薄膜的附着机理入手,构建其结合力学模型。通过实验分析得出,附着力主要与附着类型、附着力的性质、工艺和测量方法有关。影响附着力的因素主要包括材料性质、基片表面状态、基片温度、沉积方式、沉积速率和沉积气氛等。掌握简单附着、扩散附着、通过中间层附着及宏观效应附着内容,通过选择基片能与薄膜形成化学键,清洗基片去除污染层,合理提高温度、加速扩散反应形成中间层等措施来提高附着力。此外,薄膜中存在的内应力通过合理调控工艺指标来消除和减小对薄膜和基片附着力的影响。 相似文献
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通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献
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纳米技术孕育传感器革命 总被引：2，自引：0，他引：2
一、纳米技术与纳米薄膜压力传感器纳米技术是一门在纳米空间(0.1～100nm)内研究电子、原子和分子的运动规律及特性,通过操作单个原子以制造具有特定功能材料或器件为最终目的的崭新技术。由于纳米材料的新特征现象和引发的新技术,不仅涉及到当前科学技术的前沿研究,而且其应用也渗透到国民经济的各个部门,纳米技术由此被誉为“引导下次工业革命”的高新技术。目前,应用纳米技术研究开发纳米传感器,有两种情况:一是采用纳米结构的材料(包括粉粒状纳米材料和薄膜状的纳米材料)制作传感器;二是研究操作单个或多个纳米原子有序排列成所需结构而… 相似文献
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《中国科技信息》2007,(3):283-288
门极换向晶闸管(GCT)扩散阻挡层的研究The Research on Diffusion Barrier of Gate Commutated Thyristor摘要:通过对多种阻挡层特性的分析,选定了熔点高、化学稳定性好、电阻率低的TiN薄膜作为门极换向晶闸管阳极的阻挡层.采用磁控溅射技术生长的TiN,经俄歇电子谱仪分析表明,TiN阻挡层系统能有效地阻挡硅和铝的相互扩散,可作为门极换向晶闸管阳极理想的阻挡层材料.基金项目:辽宁省科技厅自然科学基金(002021);辽宁省教育厅自然科学基金(20021076)作者简介:吴春瑜(1953-),男,河北魏县人,辽宁大学教授,从事半导体物理与器件教学与研究… 相似文献