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陶永梅 《常熟理工学院学报》2006,20(4):51-54
用朗道———德文希尔理论研究了非平衡双轴失配应变对单畴外延钛酸锶钡(BST)薄膜相变的影响,得到了室温下生长在四方基底上的BST50/50薄膜的“失配应变—失配应变”相图和能量图。结果表明在BST50/50薄膜中由于非平衡双轴失配应变的作用,出现了两个在平面内的四方铁电相,即:a1相(P1≠0,P2=P3=0)和a2相(P2≠0,P1=P3=0),而这在平衡失配应变下是不存在的。室温下,非平衡失配应变在一定范围内不能使BST50/50中的顺电相消失。 相似文献
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薛庆忠 《胜利油田师范专科学校学报》1999,(4)
复合材料因其具有特殊的介电特性,在微电子器件和纳米电子器件的研究领域正日益受到人们重视。近年来,指导复合材料研究的介电理论已引起人们的浓厚兴趣。本文综合论述了金属—绝缘体复合材料的介电理论和绝缘体—绝缘体复合材料的介电理论的研究现状,对目前有关复合材料的介电理论中存在的问题进行了分析,并指出了进一步发展的方向及需要解决的主要问题。 相似文献
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采用传统固相反应方法制备了Ba1-xSrxTiO3（x=0,0．1,0．2,0．3,004）陶瓷材料,用X射线衍射方法和介电谱方法研究了所制备陶瓷材料的结构和介电性能,结果表明,所制备样品,Sr2＋进入BaTiO2后与B矿形成了钙钛矿型连续固溶体：随着SP含量的增加,峰位向高衍射角度移动,晶粒尺寸减小,说明Sr2＋的掺入抑制了晶粒的生长：BST的系列样品随着温度的升高,介电常数增大,但是随着频率的增大介电常数减小,且峰值随着SP含量的增加都向低温区移动,SP的掺入,有明显的压峰效应,具有弥散相变的特征． 相似文献
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介电弹性体是一种典型的智能软材料,具有高的介电常数,且具有重量轻、韧性好、形变大、高弹性能密度以及机电效率高等诸多优点.由介电弹性体制作而成的智能驱动器是通过具有柔性电极的弹性体在电场作用下产生的应变响应进行驱动变形的,在软体机器人、航空航天等许多方面展现出潜在的应用价值.然而,利用介电弹性体制备的抓取结构驱动力较小,将介电弹性体和形状记忆聚合物的变刚度特性相结合,可增加抓取结构的驱动力,并且在抓取和释放过程中无需持续通电即可固定形状.利用介电弹性体的电致变形特性和形状记忆聚合物的形状记忆及变刚度特性,设计了一种智能多稳态抓取结构.建立了驱动器的理论模型,确定结构参数,基于有限元软件对驱动结构的弯曲和恢复过程进行数值模拟,并对其进行弯曲和恢复试验,测试出恢复角度,基于理论和仿真对驱动器结构进行优化设计,基于优化后的驱动器制备了多稳态抓取结构,测试了抓取结构的性能. 相似文献
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采用传统固相反应方法制备了(Ba1-xSrxTiO3,BST)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)陶瓷材料,用X射线衍射方法和介电谱方法研究了所制备陶瓷材料的结构和介电性能,结果表明,所制备样品,Sr2+进入BaTiO3后与Ba2+形成了钙钛矿型连续固溶体;随着Sr2+含量的增加,峰位向高衍射角度移动,晶粒尺寸减小,说明Sr2+的掺入抑制了晶粒的生长;BST的系列样品随着温度的升高,介电常数增大,但是随着频率的增大介电常数减小,且峰值随着Sr2+含量的增加都向低温区移动,Sr2+的掺入,有明显的压峰效应,具有弥散相变的特征. 相似文献
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借助传输矩阵法,数值模拟了具有实介电常量和复介电常量一维光子晶体的带隙结构,发现具有复介电常量一维光子晶体的带隙出现增益,并对此作出了Imεα-R,Imεα-λ的关系曲线．这对研究和设计二、三维光子晶体具有一定的指导意义． 相似文献
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具有复介电常量对称结构一维三元光子晶体透射谱的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
利用传输矩阵法理论,研究含复介电常量对称结构一维三元光子晶体的光传输特性。结果表明:当各层介质的介电常量均为实数时,在较宽的禁带范围内出现一条透射率为100%的透射峰;当介质介电常量含正虚部时,禁带中的透射峰出现透射衰减现象,若含有负虚部时,透射峰则出现透射增益现象;随着复介电正虚部的增大,透射峰出现单调衰减,而随着复介电负虚部绝对值的增大,透射增益达到一极大值,随后减小;在不同介质层引入复介电常量引起透射峰的透射率衰减或增益强度不同。这些特性对设计光放大器、衰减器等新型光学器件有一定的参考价值。 相似文献
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Ba0.6Sr0.4TiO3 （BST） thin films with and without HfO 2 buffer layer were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by pulsed laser deposition. Dependences of HfO 2 thickness on the dielectric property and leakage current of BST thin films were focused. The dielectric constant of BST thin films increased and then decreased with the increase of HfO 2 thickness, while the dielectric relaxation was gradually improved. The loss tangent and leakage current under positive bias decreased with the HfO 2 thickness increasing. The leakage current analysis based on the Schottky emission indicated an improvement of the BST/Pt interface with HfO 2 buffer layer. The loss tangent, tunability and figure of merit of optimized HfO 2 buffered BST thin film achieved 0.009 8, 21.91% （E max = 200 kV/cm）, 22.40 at 10 6 Hz, respectively. 相似文献
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用非线性热力学方法,研究了外加应力及组分对外延单畴Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)薄膜的相图及物理性质的影响.通过数值计算,得到了PZT薄膜在不同组分下的"外加应力-失配应变"相图.由相图可知,外加应力可以使薄膜发生铁电相变.在室温下,外加压应力能使薄膜的铁电相转变到顺电相.薄膜的压电系数对相变非常的敏感,施加一个适当的外加应力,可以大幅度提高压电系数.本文的计算结果,可以解释压痕仪和扫描力电镜研究铁电薄膜时所观察到的实验现象. 相似文献
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用非线性热力学方法,研究了外加应力及组分对外延单畴Pb（Zr1-xTix）O3（PZT）薄膜的相图及物理性质的影响。通过数值计算,得到了PZT薄膜在不同组分下的“外加应力-失配应变”相图。由相图可知,外加应力可以使薄膜发生铁电相变。在室温下,外加压应力能使薄膜的铁电相转变到顺电相。薄膜的压电系数对相变非常的敏感,施加一个适当的外加应力,可以大幅度提高压电系数。本文的计算结果,可以解释压痕仪和扫描力电镜研究铁电薄膜时所观察到的实验现象。 相似文献
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Pt/Ti bottom electrodes were fabricated on SiO2/Si substrates by magnetron dual-facing-target sputtering system. Lead zirconate titanate(PZT) thin films were deposited on Pt/Ti/ SiO2/Si substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering system. The thickness of PZT thin films which were deposited for 5 h was about 800 nm. XRD spectra show that PZT thin films deposited in Ar ambience and rapid-thermal-annealed for 20 min at 700 ℃ have good crystallization behavior and perovskite structure. AFM micrographs show that mean diameter of crystallites is 70 nm and surface structures of PZT thin films are uniform and dense. Raw mean, root mean square roughness and mean roughness of PZT thin films are 34.357 nm, 2.479 nm and 1.954 nm respectively. As test frequency is 1 kHz, dielectric constant of PZT thin films is 327.6. Electric hysteresis loop shows that coercive field strength, residual polarization strength and spontaneous polarization strength of PZT thin films are 50 kV/cm, 10 μC/cm2 and 13 μC/cm2 respectively. 相似文献
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反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。 相似文献
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Sol-gel法制备BZT铁电薄膜,用X射线衍射仪(BSX3200)和扫描电子显微镜研究了BZT的结构和表面形貌,用差热-热失重(TG-DTA)析谱分析BZT粉体的退火工艺.测定了薄膜的电性能:薄膜不加偏压下的介电常数大约为620左右,介电损耗和调谐量分别为0.0335和48.63%. 相似文献
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王莹 《商丘职业技术学院学报》2009,8(2):58-60
采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜．利用原子力显微镜,研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响,结果表明,N的掺杂改善了HfO2薄膜的表面形貌,同时抑制了高温退火过程中表面粗糙度的增加;通过椭圆偏振仪对薄膜的光学特性的研究表明,随退火温度的升高,薄膜的折射率和消光系数都呈上升趋势． 相似文献
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Low valence vanadium oxide（VO2-x） thin films were prepared on SiO2/Si substrates at room temperature by direct current facing targets reactive magnetron sputtering, and then processed through rapid thermal annealing. The effects of the annealing on the structure and phase transition property of VO2 were discussed. X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction technique and Fourier transform infrared spectroscopy were employed to study the phase composition and structure of the thin films. The resistance-temperature property was measured. The results show that VO2 thin film is obtained after annealed at 320℃ for 3 h, its phase transition temperature is 56 ℃, and the resistance changes by more than 2 orders. The vanadium oxide thin films are applicable in thermochromic smart windows, and the deposition and annealing process is compatible with micro electromechanical system process. 相似文献
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利用PLD方法,在倾斜LaAIO,单晶衬底上镀制了'LaCaSrMnO3薄膜.对该薄膜进行了LITV信号测量,表明其LITV信号上升沿和脉冲宽度都比LCMO薄膜小,可以用来制作更快响应的光探测器件;对该薄膜进行了R-T关系测量,其金属-绝缘体转变点为313K. 相似文献