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宽带CMOS LC压控振荡器设计及相位噪声分析 总被引：1，自引：0，他引：1
应用标准0.18μm CMOS工艺设计并实现了宽带交叉耦合LC压控振荡器.采用开关电容阵列拓宽频率范围.设计过程中对相位噪声进行了优化.应用线性时变模型(LTV)推导出相位噪声与MOS晶体管宽长比之间的函数关系,从理论上给出相位噪声性能最优的元件参数取值范围.为简化推导过程,针对电路特点按晶体管工作状态来细分电路工作区域,从而避免了大量积分运算,以尽可能简单的比例形式得到相位噪声与设计变量间的函数关系.测试结果表明,在1.8V电源电压下,核心电路工作电流为8.8mA,压控振荡器的频率范围为1.17 ～1.90GHz,10kHz频偏处相位噪声达到-83dBc/Hz.芯片面积为1.2mm×0.9mm. 相似文献
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利用截止频率为49GHz 的0.18-μm CMOS工艺,设计实现了11.6-GHz锁相环电路.该电路由模拟乘法鉴相器、单极点低通滤波器及采用可变负电阻负载的三级环形振荡器构成.在片晶圆测试表明,该芯片在输入速率为11.6 GHz、长度为231-1伪随机序列的情况下,恢复时钟的均方根抖动为2.2 ps.锁相环的跟踪范围为250 MHz.环形振荡器在偏离中心频率为10 MHz处的单边带相位噪声为-107 dBc/Hz.在锁定条件下,锁相环在偏离中心频率为10 MHz处的单边带相位噪声为-99dBc/Hz.芯片面积为0.47 mm×0.72 mm,在1.8-V电源供电下,功耗为164 mW. 相似文献
3.
实现了一种基于CMOS工艺的用于DRM与DAB数字广播射频调谐器的具有低相位噪声与低功耗的工作在37.5MHz的差分结构晶体振荡器.在晶体振荡器的核心部分采用了PMOS晶体管来代替传统的NMOS晶体管以降低相位噪声.采用了对称结构的电流镜以提高直流稳定度.采用了由一阶CMOS运算跨导放大器和简单的幅度探测器构成的幅度探测电路以提高输出信号的电流精确度.芯片采用0.18-μmCMOS工艺实现,芯片面积为0.35mm×0.3mm.芯片包含用于驱动50Ω测试的负载接口电路,在1.8V供电电压下,所测得的芯片功耗仅为3.6mW.晶体振荡器的工作输出信号在距离其中心频率37.5MHz频偏1kHz处的相位噪声为-134.7dBc/Hz. 相似文献
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介绍了一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声低功耗的CMOS压控振荡器.为了获得宽工作频带和大调谐范围,在LC谐振腔里并联一个开关控制的电容阵列.所设计的压控振荡器应用中芯国际的0.18μm RF CMOS工艺进行了流片实现.包括测试驱动电路和焊盘,整个芯片面积为750μm×560μm.测试结果表明,该压控振荡器的调谐范围为44.6%,振荡频率范围为2.27～3.57GHz.其相位噪声在频偏为1MHz时为-122.22dBc/Hz.在1.8V的电源电压下,其核心的功耗为6.16mW. 相似文献
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蓝牙射频前端跳频频综的几项关键技术 总被引：1，自引：0，他引：1
提出了应用于蓝牙射频前端的跳频频率综合器的设计方案,并介绍了关键模块压控振荡器与双模预分频器的设计技术,采用混合0.18 μm CMOS工艺进行了流片验证.设计的压控振荡器性能稳定,低功耗低相噪,频率在2.4 GHz时测试相位噪声达-114.32 dBc/Hz@2.4 MHz.对双模分频器进行了设计优化,并采用一种集成"或"逻辑的锁存器结构,降低了功耗,提高了电路速度.测试结果显示电路在1.8 V时稳定工作双模分频器核心功耗仅5.76 mW;均方差抖动在输出周期为118.3 MHz时仅为2 ps,约占输出周期的0.02%. 相似文献
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对T 型衰减器的插入损耗和衰减性能进行了理论分析, 在此基础上设计了一个用于跳时超宽带(TH-UWB)通信的载波频率为4 GHz 的通断键控(OOK)调制器. 该调制器的核心是一个T 型RF CMOS 衰减器, 其电路拓扑结构包括3个主要部分: 振荡频率为4 GHz 的振荡器、由射频CMOS 晶体管构成的T 型衰减器和带有L 型结构的输出阻抗匹配网络. 该调制器由一个脉位调制(PPM)信号控制, 使已调信号的包络随控制信号的幅度而变化, 以实现调制功能. 除此之外, 输出匹配网络将调制器的输出阻抗匹配到50Ω负载. 调制器采用0.18 μm 射频CMOS 工艺进行设计并仿真, 其芯片经过测试, 在1.8 V 电源和50Ω负载下有65 mV 的输出幅度, 输出端回波损耗(S11)小于-10 dB, 功耗为12.3 mW, 芯片尺寸为0.7 mm×0.8 mm. 相似文献
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设计并实现了一个应用于ZigBee收发机的全集成整数N频率综合器.频率综合器中采用了稳定环路带宽技术,使频率综合器的环路带宽在压控振荡器（VCO）的整个输出频率范围内恒定不变,从而维持了频率综合器的相位噪声最优值与环路稳定性.频率综合器的同相与正交信号（IQ）由VCO输出端的除2分频器产生.该频率综合器采用0.18μm RF CMOS工艺技术制造,芯片面积约1.7mm2.频率综合器采用在晶圆测试的方式进行了测试.在1.8V电源电压下,频率综合器不包括输出缓冲所消耗的总功率为28.8mW.频率综合器在2.405GHz载波1及3MHz频偏处测得相位噪声分别为-110和-122dBc/Hz.频率综合器在2MHz频偏处测得的参考杂散为-48.2dBc.测得的建立时间约为160μs. 相似文献
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介绍了一种用于毫米波系统的下变频器,其中混频器采用了肖特基二极管镜频回收混频结构,振荡器采用了DRO(dielectric resonator oscillator)结构以提高系统性能,以保证在合适的体积内实现较高的频率稳定度.描述了系统中低噪声放大器、混频器、振荡器的性能,用于评估系统链路性能,最后合并制作在单个基片上.根据测试结果,该下变频器的噪声系数在35GHz处1GHz频率范围内小于5dB,单边带相位噪声系数在偏离载波200kHz处达到-70dBc/Hz.由于采用了介质谐振结构,本振的频率稳定度小于60×10-6/℃. 相似文献
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利用标准的0.18μm6层金属混合信号/射频CMOS工艺设计了一种工作在2.4 GHz频段的全集成E类功率放大器.电路采用两级放大器级联结构,其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号;输出级采用E类结构实现了信号的功率放大.在1.2 V电源电压下,设计的功率放大器最高输出功率为8.8 dBm,功率附加效率(PAE)达到44%.同时,提出了一种E类功率放大器功率控制方法.通过改变进入E类开关晶体管的信号幅度和占空比,在3位数字控制字的控制下,输出功率达到-3～8.8 dBm.所设计的功率放大器可以满足诸如无线传感网络(WSN)和生物遥测等低功率系统的应用. 相似文献
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申卫国 《河北软件职业技术学院学报》2005,7(4):48-51
近年来出版的不同版本的教材，对于三极管输出特性曲线饱和区的图示和叙述方法往往有所不同。尽管在工程应用中，对熟知晶体管特性的人员无大影响，但是在给学生讲授时容易引起误解和争议，给教学带来一定的困难。准确、通俗地传递关于三极管输出特性曲线的科学含义，方便教学，是本文的初衷。 相似文献
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1 Introduction Organic semiconductors are receiving considerableattention due to their remarkable advantages especiallyvarious manufacturing methods ,lowcost and plentifulmaterials .Ebisawa ,et al.[1]fabricated the first poly-mer-based transistor in 1983 . Since then,lots of re-search works have been done in the filed of organicmaterial-based transistors .It was reported that organicthin-fil m transistor ( OTFT) fabricated by usingorganic semiconductor material copper-phthalocyanine(CuPc)[2… 相似文献
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V－MOS管发电机调节器结构简单方便，无移动触点。价格低廉，适用于国内各种汽车。电压不超过12V，功率不超过350W即可。调节器由三极管BG和场效应管V-MOS开头电路。调节励磁绕组LQ的励磁电压来调节输出电压。 相似文献
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李秀娟 《南京晓庄学院学报》2010,26(3):88-91
模拟电子技术教学内容多,知识点琐碎,学生普遍感觉入门难,而场效应管及其放大电路又是模拟电子技术教学难点之一,传统的教学使教学效果不尽人意.双极型晶体管（BJT）和场效应管（FET）都是半导体器件,二者有很多相似之处,因此巧用类比法将FET与BJT进行对比教学,不但可以提高教学效率,达到事半功倍的效果,而且可以使学生温故知新,找到新旧知识之间的联系,减少对新知识的畏难情绪,提高学习兴趣和学习效率. 相似文献
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智能轮胎压力监测系统的概述与研究 总被引：1，自引：0，他引：1
从典型的TPMS原理出发,概述了TPMS整体系统的设计思路.在系统模块的选型剖析中,找出了TPMS设计的优化方案,并在优化方案中重点探讨了TPMS开发中需要关注的问题,为电子产品的设计提供一种可参照的设计理念.最后,展望了低功耗TPMS的发展前景. 相似文献
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蔡昌新 《中国现代教育装备》2009,(3)
介绍了TI MSP430超低功耗单片机的发展历程,以及该单片机的总线特点、存储结构和运算性能.并以F149单片机为例,根据实验项目的相关要求,设计了相应的硬件框图,根据硬件框图制作了相应的实验箱,实际应用表明该实验箱稳定、可靠.与新一代的RF芯片相结合,以F2274单片机为核心设计了无线收发系统,实现了视距范围内的无线通信和数据监测等功能. 相似文献
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提出绘制晶体管基本放大电路的交流通路和微变等效电路的基本步骤,该方法过程规范易掌握,且可以得到规范的平面电路。同时还明确指出计算放大电路交流指标时应以BJT的ib或FET的vgs为公共变量列写各个信号表达式。 相似文献
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Based on planar Si dual-base transistor conception, a novel mesa dual-base heterojunction bipolar transistor （ HBT） is designed and fabricated. Molecule beam extension, selective wet chemical etching, common contact photolithography and metal lift-off technique are adopted in the process. The device has particular and distinct voltage-controlled negative differential resistance （NDR） and photo-controlled NDR. The highest peak-to-vally current rate of the voltage-controlled NDR is larger than 148 and the peak current varies with the increase of collector voltage. The device features high speed and high frequency characteristics derived from HBT and intrinsic bistability and self-latching characteristics due to NDR. A single dual-base HBT can be seen as an integration of NDR device, HBT and photoconductive device. Compared with common HBT,the groove is the key factor producing NDR. 相似文献
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本文从切换失败、干扰、弱信号、软硬件故障等几个方面论述了GSM无线系统掉话的原因,并根据实际维护经验提出了解决GSM无线系统掉话的可行性方案. 相似文献