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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 154 毫秒
1.
根据光伏并网逆变系统的供电需求,设计了一种120 ~ 850 V宽输入的辅助电源.为防止在输入电压过高时丢失开通脉冲,在传统的单端反激式拓扑电路的基础上加入了变频电路.输入电压升高时,降低开关频率,保证导通时间大于开关管的最小导通时间,实现了宽输入范围电压的要求.采用DCM工作模式,峰值电流控制,在反馈电路中加入了2型补偿网络,保证了输出电压快速调节性和稳定性.样机实验结果表明,该电源能够适应输入电压在大范围波动,可靠地为光伏并网实验系统供电.  相似文献   

2.
用于神经信号再生的神经功能电压驱动电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用华润上华0.6μm CMOS工艺,设计实现了一种用于神经信号再生微电子系统的低功耗、高增益功能电激励电压驱动电路.它可以用于驱动激励电极和与之相连的神经来再生神经信号.电路由2部分组成:全差分折叠式共源共栅放大器及带过载保护的互补型甲乙类输出级.电路采用了满摆幅的输入输出结构,保证了大输入电压范围和大输出电压范围.仿真结果表明,电路增益可以达到81dB,具有295kHz的3dB带宽.芯片面积为1.06mm×0.52mm.经流片实现后在片测试,在单电源 5V下工作,直流功耗约为7.5mW,输出电压幅度达到4.8V;同时在单电源 3.3V下也可正常工作.  相似文献   

3.
讨论一款基于SiGe BiCMOS工艺工作速率为10 Gb/s激光驱动芯片的设计.该激光驱动芯片包括输入缓冲、驱动放大电路和输出级电路3个部分.输入缓冲、驱动放大电路采用电流模电路,满足高速数据传输和放大的能力.输出级电路结构采用新型的MOS-HBT共源共栅结构可以降低米勒效应减小输入电容,从而使激光驱动芯片工作在10 Gb/s时也能达到良好的性能.主电路电源电压为3.3 V,输出级电路供电电压为5.5 V,确保激光器有足够的电压摆幅.芯片总面积(包括焊盘)为600μm×800μm,,测试表明当输入10 Gb/s的非归零随机码,输出级电源电压为5.5 V时,电路总功耗为660 mw,在50 Ω负载上可以提供3 V的驱动电压(相应的驱动电流为60mA).测试眼图清晰,可以很好地满足SDH STM64/SONNET OC192和10 Gb/s以太网的模板要求.  相似文献   

4.
介绍一种采用半桥电路的开关电源,其输入电压为交流85~220V,输出电压为直流+5V、+20V,最大电流2A,工作频率50kHz.该开关电源已成功地作为实验室单片机电源等的使用,其效率≥85%,此产品可靠性高、成本低.  相似文献   

5.
给出了一个应用于无线局域网WLAN802.11a的中低噪声、高增益的下变频器.该下变频器采用高中频的结构,输入的射频频率(RF)、本振(LO)频率和输出的中频频率(IF)分别为5.15 ~5.35,4.15 ~4.35和1GHz.为了提高混频器的线性度,电路采用了伪差分的吉尔伯特结构和源极电阻负反馈技术;为了获得低的噪声系数,混频器采用电流源注入技术和LC谐振电路作为负载.此外,采用了一种改进的源极跟随器输出缓冲电路,在不恶化其他性能的情况下混频器可以达到较高的增益.该芯片采用0.18μm RF CMOS工艺制作,包含所有焊盘在内的芯片尺寸为580μm×1 185μm.测试结果表明:在1.8V电源电压下,消耗电流为3.8mA,转换增益为10.1dB,输入1dB压缩点为-3.5dBm,输入三阶截点为5.3dBm,单边带(SSB)噪声系数(NF)为8.65dB.  相似文献   

6.
开关电流(SI)技术是一种新的模拟数据采样的信号处理技术,存在着一些局限性.通过分析影响开关电流电路的非理想因素,并且针对开关电流电路的栅极间的误差和开关的时钟馈通误差,采用负反馈技术设计出一种新的改进电路,采用3.3V的电源电压和5MHz的时钟频率,用Pspice进行了仿真,仿真结果显示新的电路误差较小,输出波形理想.  相似文献   

7.
设计了一款微波单片集成电路功率放大器.该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的交流偏置点的偏离.电流镜结构的偏置电路与反馈电路使偏置电压维持在一个稳定的状态,在反馈电路中引入一个非反相电路提高了电路增益.通过在偏置管的基极并联一个...  相似文献   

8.
基于LM2575降压型DC/DC电源的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了一款降压型DC/DC开关电源电路。分析和阐述了降压型转换器的电路拓扑和工作原理,根据系统性能设计了电路,同时对电源转换效率进行了仿真,其效率最高可达90%。该电源具有7 V-40 V电源电压输入范围,输出电压在1.23 V~20 V之间连续可调,经功率计测量、计算得电源转换效率达到85%以上,各项指标均达到了设计要求。电源整体电路满足小封装要求,可应用在MCU、DSP以及USB电源等便携式电子产品中。  相似文献   

9.
这是2010年潍坊市学业水平考试物理试题中的一道电学选择题.标有"2 V 1 W"字样的小灯泡和标有"20Ω1A"字样的滑动变阻器,连接在如图1所示的电路中.已知电源电压为6 V,电流表的量程为"0~0.6A",电压表的量程为"0~3 V".闭合开关,移动滑动变阻器滑片,电流表、电压表示数的变化范围是A.0.25 A~0.5 A 1 V~2 VB.0.25 A~0.6 A 1 V~2 VC.0.3 A~0.5 A 1 V~1.5 VD.0.25 A~0.5 A 1.5 V~2 V评说该题综合考查串联电路电流特点、电压特点、电阻特点、欧姆定律、电功率、  相似文献   

10.
文章介绍了一种利用SPCE061A单片机直接合成1Hz~20KHz范围的正弦波信号发生器。波形失真小;频率控制准确,1KHz以下步进频率1Hz,1KHz以上步进5Hz。电路简单,单片机外围元件少,输出峰峰值电压2V。功耗低,工作电源电压为3V。  相似文献   

11.
为改善现有鉴频鉴相器(PFD)中存在的问题,从理论分析的角度对现有的PFD进行了研究,并对其进行了基于电路结构的分类与比较.提出并设计了一种应用于高速低抖动电荷泵锁相环的高鲁棒性新型鉴频鉴相器.该PFD由2个上升沿触发的动态D触发器、2个上升沿检测和延时模块及2个或门组成.由于融合了2种复位机制,能避免UP与DN信号同时为高电平,因此,电荷泵的电流失配将不会恶化PLL的性能.而且,该PFD的鉴相特性中几乎没有鉴相死区、设计及仿真是基于1.8V电源电压的TSMC0.18ixmCMOS工艺.由理论推导和电路仿真可知,该PFD具有高工作频率(-1GHz)、高可靠性、宽鉴相范围([±2π])、零死区(〈0.1ps)、低抖动、低功耗(≈100μw)、低复杂度等特性、  相似文献   

12.
为了使一个10 Gbit/s 2∶1半速率复接器电路能够在无外部提供时钟的环境中工作,需要一个5 Gbit/s时钟恢复电路从一路输入数据中提取出所需时钟.该时钟恢复电路采用3级环形压控振荡器,以克服2级振荡器存在的起振不可靠和4级振荡器振荡频率低的问题;采用鉴频鉴相器来增加牵引范围,以适应由于工艺、电压及温度偏差等原因...  相似文献   

13.
基于DDS技术的双通道信号发生器设计研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了调节两路相同频率正弦信号之间的相位差,采用DDS技术设计了相位关系可调的双通道信号发生器.该信号发生器的输出频率范围为0H z-150MH z,频率分辨率为1μH z,相位调节范围为0°~360°,分辨率为0.022°.它不仅可输出两路相同频率、相位差可调的正弦信号,而且可分别作为两路独立的可调频、调幅、调相的信号发生器使用.  相似文献   

14.
设计了一种电平移位CMOS轨对轨(Rail—to—Rail)运算放大器,并采用旺宏电子股份有限公司的0.5μmN阱CMOS工艺进行了版图设计。Hspice仿真显示:运放的电源电压为土1.5V,输出可以达到全摆幅,输入失调电压仅为35μV,差模增益达85dB以上,其中82dB的带宽为8K。  相似文献   

15.
介绍了一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声低功耗的CMOS压控振荡器.为了获得宽工作频带和大调谐范围,在LC谐振腔里并联一个开关控制的电容阵列.所设计的压控振荡器应用中芯国际的0.18μm RF CMOS工艺进行了流片实现.包括测试驱动电路和焊盘,整个芯片面积为750μm×560μm.测试结果表明,该压控振荡器的调谐范围为44.6%,振荡频率范围为2.27~3.57GHz.其相位噪声在频偏为1MHz时为-122.22dBc/Hz.在1.8V的电源电压下,其核心的功耗为6.16mW.  相似文献   

16.
实现了一种基于CMOS工艺的用于DRM与DAB数字广播射频调谐器的具有低相位噪声与低功耗的工作在37.5MHz的差分结构晶体振荡器.在晶体振荡器的核心部分采用了PMOS晶体管来代替传统的NMOS晶体管以降低相位噪声.采用了对称结构的电流镜以提高直流稳定度.采用了由一阶CMOS运算跨导放大器和简单的幅度探测器构成的幅度探测电路以提高输出信号的电流精确度.芯片采用0.18-μmCMOS工艺实现,芯片面积为0.35mm×0.3mm.芯片包含用于驱动50Ω测试的负载接口电路,在1.8V供电电压下,所测得的芯片功耗仅为3.6mW.晶体振荡器的工作输出信号在距离其中心频率37.5MHz频偏1kHz处的相位噪声为-134.7dBc/Hz.  相似文献   

17.
设计并实现了一个应用于ZigBee收发机的全集成整数N频率综合器.频率综合器中采用了稳定环路带宽技术,使频率综合器的环路带宽在压控振荡器(VCO)的整个输出频率范围内恒定不变,从而维持了频率综合器的相位噪声最优值与环路稳定性.频率综合器的同相与正交信号(IQ)由VCO输出端的除2分频器产生.该频率综合器采用0.18μm RF CMOS工艺技术制造,芯片面积约1.7mm2.频率综合器采用在晶圆测试的方式进行了测试.在1.8V电源电压下,频率综合器不包括输出缓冲所消耗的总功率为28.8mW.频率综合器在2.405GHz载波1及3MHz频偏处测得相位噪声分别为-110和-122dBc/Hz.频率综合器在2MHz频偏处测得的参考杂散为-48.2dBc.测得的建立时间约为160μs.  相似文献   

18.
可见光通信系统中的预均衡能提高 LED 带宽,但会损耗能量。研究表明,输入信号频率数量级为 KHz时,有 97%的能量损失,当输入信号频率为 100MHz 时,有 40%的能量损失。为了杜绝预均衡的能量损失,提出一种无均衡可见光通信系统,即发射端无预均衡电路,利用非正交(NOMA)技术为几路信号分配不同大小的功率,并将这几路信号进行叠加,然后传输给带宽为 50MHz 的 LED 进行发射,接收端采用串行干扰消除技术进行解调。经过仿真,采用两路信号在功率域叠加,与有均衡系统相比,在误码率为 3.8 ′ 10-3 时,无均衡系统能节省能量,即输入信号频率为 100MHz 时能够避免 97%的能量损失。因此,该无均衡可见光通信系统可以有效避免能量损失。  相似文献   

19.
设计一种3.3V的低功耗轨到轨CMOS运放,输入级采用差分NMOS和差分PMOS共同作用,实现大的跨导。基于CSMC的0.35um 3.3V工艺模型,利用spectre软件对电路进行仿真。在电源电压3.3V,MOS管采用低开启的LVNMOS和LVPMOS,电阻负载为10K,电容负载为50pF的情况下,运放在整个共模范围内总跨导变化仅2.4%,电压增益变化仅为1.7%,直流开环增益为109dB,增益带宽积为8.4MHz,相位裕度为71,功耗为204uW。  相似文献   

20.
基于AT89S51单片机控制的数控电源,采用键盘输入数字脉冲信号经AT89S51单片机处理后,由数/模转换器DAC0832变换成模拟信号后经稳压集成电路LM324控制输出电压,每按一次键盘输出电压增加或者减少0.02V,采用数码电路更直观准确的显示输出电压的变化.该数控电源与同等功率的线性稳压电源相比,效率得到了明显提高,具有成本低,操作方便、输出电压精度高、集成度高、电压稳定度高,为精密仪器和设备的电源设计提供一种新方法和新思路.  相似文献   

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